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2046751Immagine RS1GFSHMWG.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1GFSHMWG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RS1GFSHMWG
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    400V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOD-128
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    150ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOD-128
  • Altri nomi
    RS1GFSHMWGCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SOD-128
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 400V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    7pF @ 4V, 1MHz
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RS1GL M2G

RS1GL M2G

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1GFA

RS1GFA

Descrizione: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Descrizione: DIODE

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1GHM2G

RS1GHM2G

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1GL MHG

RS1GL MHG

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1GL MQG

RS1GL MQG

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Descrizione: DIODE, FAST, 1A, 400V

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1GB-13

RS1GB-13

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Descrizione: DIODE, FAST, 1A, 400V

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1GHR3G

RS1GHR3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino

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