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4886039Immagine RS1G150MNTB.LAPIS Semiconductor

RS1G150MNTB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RS1G150MNTB
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RS1G150MNTB.pdf
    2.RS1G150MNTB.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    10.6 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    RS1G150MNTBTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    930pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 15A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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