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SFAS808G MNG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SFAS808G MNG
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SFAS808G MNG.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 8A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-263AB (D²PAK)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    35ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    SFAS808G MNG-ND
    SFAS808GMNG
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    8A
  • Capacità a Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB

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Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

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Descrizione: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: CAP FEEDTHRU 6800PF 500V AXIAL

Produttori: Knowles Syfer
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

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