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596822Immagine TSM650P03CX RFG.TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM650P03CX RFG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TSM650P03CX RFG
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TSM650P03CX RFG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    65 mOhm @ 4A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.56W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    TSM650P03CX RFGTR
    TSM650P03CX RFGTR-ND
    TSM650P03CXRFGTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    810pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.1A (Tc)

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