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25843Immagine TSM6502CR RLG.TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM6502CR RLG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TSM6502CR RLG
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TSM6502CR RLG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PDFN (5x6)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
  • Potenza - Max
    40W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    TSM6502CR RLGDKR
    TSM6502CR RLGDKR-ND
    TSM6502CRRLGDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    30 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 60V 24A (Tc), 18A (Tc) 40W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc), 18A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252

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Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 13A ITO220

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251

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Descrizione: MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN

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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP

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