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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > TC58CYG0S3HQAIE
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5920913Immagine TC58CYG0S3HQAIE.Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HQAIE

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TC58CYG0S3HQAIE
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    16-SOP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Altri nomi
    TC58CYG0S3HQAIEY0J
    TC58CYG0S3HQAIEYCJ
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    SPI
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI 104MHz 155µs 16-SOP
  • Frequenza dell'orologio
    104MHz
  • Tempo di accesso
    155µs
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Descrizione: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG0S3HTAI0

TC58NVG0S3HTAI0

Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Descrizione: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Descrizione: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Descrizione: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG0S3HBAI6

TC58NVG0S3HBAI6

Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Descrizione: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Descrizione: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Descrizione: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Descrizione: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Descrizione: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG0S3HTA00

TC58NVG0S3HTA00

Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Descrizione: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
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