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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > TC58NVG0S3HBAI4
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2745867Immagine TC58NVG0S3HBAI4.Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI4

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630+
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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TC58NVG0S3HBAI4
  • Costruttore / Marca
    Kioxia America, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TC58NVG0S3HBAI4.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    25ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    63-TFBGA (9x11)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    63-VFBGA
  • Altri nomi
    TC58NVG0S3HBAI4JDH
    TC58NVGOS3HBAI4JDH
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11)
  • Tempo di accesso
    25ns

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Spedizione
Pagamento
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