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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > TH58BVG3S0HTA00
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1974828Immagine TH58BVG3S0HTA00.Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG3S0HTA00

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TH58BVG3S0HTA00
  • Costruttore / Marca
    Kioxia America, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TH58BVG3S0HTA00.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    25ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    48-TSOP I
  • Serie
    Benand™
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Altri nomi
    TH58BVG3S0HTA00B4H
    TH58BVG3S0HTA00YCJ
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • Tempo di accesso
    25ns

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