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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SA1315-Y,HOF(M
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6057262Immagine 2SA1315-Y,HOF(M.Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,HOF(M

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SA1315-Y,HOF(M
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 2A 80V TO226-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SA1315-Y,HOF(M.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 1A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92MOD
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    900mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Altri nomi
    2SA1315-YHOF(M
    2SA1315YHOFM
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    80MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 2A 80MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    70 @ 500mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A

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