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3237168Immagine 2SA965-Y,F(J.Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SA965-Y,F(J
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SA965-Y,F(J.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    120V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LSTM
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    900mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Altri nomi
    2SA965-YF(J
    2SA965YFJ
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    120MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 100mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    800mA

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