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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC2482(FJTN,F,M)
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3232072Immagine 2SC2482(FJTN,F,M).Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(FJTN,F,M)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC2482(FJTN,F,M)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 100MA 300V TO226-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC2482(FJTN,F,M).pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    300V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92MOD
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    900mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Altri nomi
    2SC2482(FJTNFM)
    2SC2482FJTNFM
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    50MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 20mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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