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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD2695(T6CNO,A,F)
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4377129Immagine 2SD2695(T6CNO,A,F).Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CNO,A,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SD2695(T6CNO,A,F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 2A 60V TO226-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SD2695(T6CNO,A,F).pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 1mA, 1A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92MOD
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    900mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Altri nomi
    2SD2695(T6CNOAF)
    2SD2695T6CNOAF
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    2000 @ 1A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A

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Descrizione: TRANS NPN 2A 60V TO226-3

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