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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD2707T2LV
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6995981Immagine 2SD2707T2LV.LAPIS Semiconductor

2SD2707T2LV

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SD2707T2LV
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SD2707T2LV.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    VMT3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-723
  • Altri nomi
    2SD2707T2LVTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    820 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    300nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    150mA
  • Numero di parte base
    2SD2707

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2SD300C17A2

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Descrizione: IC DUAL GATE DRIVER 30A

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Produttori: Power Integrations
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Descrizione: TRANS NPN 30V 1A TUMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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2SD2696T2L

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Descrizione: TRANS NPN 30V 0.4A VMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: IC DUAL GATE DRIVER 18A

Produttori: Power Integrations
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2SD2701TL

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Descrizione: TRANS NPN 12V 2A TUMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: IGBT DVR CORE 2500V

Produttori: Power Integrations
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Descrizione: TRANS NPN 20V 0.3A SOT23-3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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2SD316EI-17

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Descrizione: GATE DVR P&P SCALE-1

Produttori: Power Integrations
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