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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2SK2963(TE12L,F)
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1579480Immagine 2SK2963(TE12L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2963(TE12L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SK2963(TE12L,F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.2SK2963(TE12L,F).pdf
    2.2SK2963(TE12L,F).pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PW-MINI
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    700 mOhm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-243AA
  • Altri nomi
    2SK2963 (TE12L,F)
    2SK2963FTR
    2SK2963TE12LF
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    140pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

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