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6235421Immagine 2SK3564(STA4,Q,M).Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3564(STA4,Q,M)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SK3564(STA4,Q,M)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
    2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
  • Tensione - Prova
    700pF @ 25V
  • Tensione - Ripartizione
    TO-220SIS
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    π-MOSIV
  • Stato RoHS
    Tube
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3A (Ta)
  • Polarizzazione
    TO-220-3 Full Pack
  • Altri nomi
    2SK3564(Q)
    2SK3564(STA4,Q)
    2SK3564(STA4Q)
    2SK3564(STA4Q)-ND
    2SK3564(STA4QM)
    2SK3564Q
    2SK3564Q-ND
    2SK3564STA4QM
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    2SK3564(STA4,Q,M)
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    17nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 1mA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    900V
  • rapporto di capacità
    40W (Tc)

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