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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > 2SK879-Y(TE85L,F)
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2212200Immagine 2SK879-Y(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-Y(TE85L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SK879-Y(TE85L,F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    JFET N-CH 0.1W USM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SK879-Y(TE85L,F).pdf
  • Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id
    400mV @ 100nA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    USM
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    100mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-70, SOT-323
  • Altri nomi
    2SK879-Y (TE85L,F)
    2SK879-Y(TE85LF)TR
  • temperatura di esercizio
    125°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Descrizione dettagliata
    JFET N-Channel 100mW Surface Mount USM
  • Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)
    1.2mA @ 10V

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