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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > HN3C10FUTE85LF
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6234410Immagine HN3C10FUTE85LF.Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HN3C10FUTE85LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANSISTOR NPN US6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    12V
  • Tipo transistor
    2 NPN (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    US6
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    HN3C10FU(TE85L,F)
    HN3C10FUTE85LFTR
  • temperatura di esercizio
    -
  • Di rumore (dB tip @ f)
    1.1dB @ 1GHz
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    11.5dB
  • Frequenza - transizione
    7GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 20mA, 10V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    80mA

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Descrizione: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

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RFQ
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