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2228790Immagine HN4C51J(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C51J(TE85L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HN4C51J(TE85L,F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HN4C51J(TE85L,F).pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    120V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 NPN (Dual) Common Base
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMV
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-74A, SOT-753
  • Altri nomi
    HN4C51J (TE85L,F)
    HN4C51J (TE85LF)
    HN4C51J(TE85LF)TR
    HN4C51JTE85LF
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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Descrizione: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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