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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > RN1301,LF
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Italia
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3927976Immagine RN1301,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN1301,LF
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    USM
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    100mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    SC-70, SOT-323
  • Altri nomi
    RN1301(TE85LF)DKR
    RN1301(TE85LF)DKR-ND
    RN1301LFDKR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
RN1305,LF

RN1305,LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN122-4-02-1

RN122-4-02-1

Descrizione: COMMON MODE CHOKE 3.3MH 4A

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN122-2.5-02-5M6

RN122-2.5-02-5M6

Descrizione: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN1309(TE85L,F)

RN1309(TE85L,F)

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN1304,LF

RN1304,LF

Descrizione: X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN1302SU,LF

RN1302SU,LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Produttori: Touchstone
In magazzino
RN123-I/RM

RN123-I/RM

Descrizione: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Produttori: Micrel / Microchip Technology
In magazzino
RN1308,LF

RN1308,LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN1306,LF

RN1306,LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN122-4-02

RN122-4-02

Descrizione: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN125-I/RM

RN125-I/RM

Descrizione: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Produttori: Micrel / Microchip Technology
In magazzino
RN122-3-02

RN122-3-02

Descrizione: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN122-4-02-1M8

RN122-4-02-1M8

Descrizione: CMC 1.8MH 4A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN1302,LF

RN1302,LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN1307,LF

RN1307,LF

Descrizione: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN1309,LF

RN1309,LF

Descrizione: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN122-3-02-4M5

RN122-3-02-4M5

Descrizione: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN1303(TE85L,F)

RN1303(TE85L,F)

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN122-4-02-3M3

RN122-4-02-3M3

Descrizione: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN122-2.5-02

RN122-2.5-02

Descrizione: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
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