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4938459Immagine RN1907,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN1907,LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RN1907,LF.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    US6
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    RN1907LFTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1907FE,LF(CB

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1906FE(T5L,F,T)

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1910,LF(CT

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1906,LF(CT

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1911(T5L,F,T)

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RN1908(T5L,F,T)

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