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4662424Immagine RN1969FE(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

RN1969FE(TE85L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN1969FE(TE85L,F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RN1969FE(TE85L,F).pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ES6
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potenza - Max
    100mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    SOT-563, SOT-666
  • Altri nomi
    RN1969FE(TE85LF)DKR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1968FE(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1971TE85LF

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1970(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1964TE85LF

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RN1968(TE85L,F)

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