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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SSM3J118TU(TE85L)
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3275310Immagine SSM3J118TU(TE85L).Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J118TU(TE85L)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM3J118TU(TE85L)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SSM3J118TU(TE85L).pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UFM
  • Serie
    U-MOSII
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    240 mOhm @ 650mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500mW (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    3-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    SSM3J118TU(TE85L)DKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    137pF @ 15V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Ta)

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Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 0.1A USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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