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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SSM3J14TTE85LF
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SSM3J14TTE85LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM3J14TTE85LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SSM3J14TTE85LF.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSM
  • Serie
    U-MOSII
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    85 mOhm @ 1.35A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    700mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    SSM3J14T (TE85L,F)
    SSM3J14T(TE85L,F)
    SSM3J14TTE85LFTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    413pF @ 15V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 2.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

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