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4587895Immagine SSM3J338R,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J338R,LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM3J338R,LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SSM3J338R,LF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23F
  • Serie
    U-MOSVII
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    17.6 mOhm @ 6A, 8V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-3 Flat Leads
  • Altri nomi
    SSM3J338R,LF(B
    SSM3J338R,LF(T
    SSM3J338RLFTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    19.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 8V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 12V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

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Descrizione: MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F

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