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Immagine SSM3J356R,LF.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J356R,LF

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Specifiche

Modello di prodotti

SSM3J356R,LF
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SSM3J356R,LF.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

+10V, -20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23F
Serie

U-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs

300 mOhm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-23-3 Flat Leads
Altri nomi

SSM3J356R,LF(B
SSM3J356R,LF(T
SSM3J356RLFTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

P-Channel 60V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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