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Immagine SSM3K35AFS,LF.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35AFS,LF

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Specifiche

Modello di prodotti

SSM3K35AFS,LF
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SSM3K35AFS,LF.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 100µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SSM
Serie

U-MOSIII
Rds On (max) a Id, Vgs

1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-75, SOT-416
Altri nomi

SSM3K35AFS,LF(B
SSM3K35AFS,LF(T
SSM3K35AFSLF(B
SSM3K35AFSLF(T
SSM3K35AFSLFTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SSM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

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