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Immagine SSM3K361TU,LF.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K361TU,LF

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Specifiche

Modello di prodotti

SSM3K361TU,LF
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SSM3K361TU,LF.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

UFM
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs

69 mOhm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

3-SMD, Flat Leads
Altri nomi

SSM3K361TU,LF(B
SSM3K361TULF
SSM3K361TULF(B
SSM3K361TULFTR
temperatura di esercizio

175°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount UFM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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