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1248920Immagine SSM3K56MFV,L3F.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56MFV,L3F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM3K56MFV,L3F
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SSM3K56MFV,L3F.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    VESM
  • Serie
    U-MOSVII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    235 mOhm @ 800mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    150mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-723
  • Altri nomi
    SSM3K56MFVL3FCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    55pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    800mA (Ta)

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