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5111506Immagine SSM5G10TU(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5G10TU(TE85L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM5G10TU(TE85L,F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.SSM5G10TU(TE85L,F).pdf
    2.SSM5G10TU(TE85L,F).pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UFV
  • Serie
    U-MOSIII
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    213 mOhm @ 1A, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Altri nomi
    SSM5G10TU(TE85LF)TR
    SSM5G10TUTE85LF
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4nC @ 4V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

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Produttori: ADI (Analog Devices, Inc.)
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Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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