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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TJ80S04M3L(T6L1,NQ
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TJ80S04M3L(T6L1,NQ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TJ80S04M3L(T6L1,NQ
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.TJ80S04M3L(T6L1,NQ.pdf
    2.TJ80S04M3L(T6L1,NQ.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +10V, -20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK+
  • Serie
    U-MOSVI
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 40A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    100W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    TJ80S04M3L(T6L1NQ
    TJ80S04M3LT6L1NQ
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7770pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    158nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 40V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Ta)

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