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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TK20V60W5,LVQ

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Immagine TK20V60W5,LVQ.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20V60W5,LVQ

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Specifiche

Modello di prodotti

TK20V60W5,LVQ
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TK20V60W5,LVQ.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

4-DFN-EP (8x8)
Serie

DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs

190 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

156W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

4-VSFN Exposed Pad
Altri nomi

TK20V60W5LVQCT
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 20A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

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