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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TK25E06K3,S1X(S
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TK25E06K3,S1X(S

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TK25E06K3,S1X(S
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TK25E06K3,S1X(S.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3
  • Serie
    U-MOSIV
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    18 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    60W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    TK25E06K3S1X(S
    TK25E06K3S1XS
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 25A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    25A (Ta)

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