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3290706Immagine TK6R7P06PL,RQ.Toshiba Semiconductor and Storage

TK6R7P06PL,RQ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TK6R7P06PL,RQ
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TK6R7P06PL,RQ.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 300µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    U-MOSIX-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 23A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    66W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    TK6R7P06PLRQDKR
  • temperatura di esercizio
    175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1990pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 46A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    46A (Tc)

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Pagamento
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