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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TK6Q65W,S1Q
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3745555Immagine TK6Q65W,S1Q.Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q65W,S1Q

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TK6Q65W,S1Q
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TK6Q65W,S1Q.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 180µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I-PAK
  • Serie
    DTMOSIV
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    60W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Altri nomi
    TK6Q65W,S1Q(S
    TK6Q65WS1Q
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    390pF @ 300V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 5.8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.8A (Ta)

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