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TPC8012-H(TE12L,Q)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPC8012-H(TE12L,Q)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
    2.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Serie
    π-MOSV
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    400 mOhm @ 900mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Altri nomi
    TPC8012-HDKR
    TPC8012-HDKR-ND
    TPC8012-HQDKR
    TPC8012HTE12LQ
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    440pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

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