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1241102Immagine TPCF8A01(TE85L).Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8A01(TE85L)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPCF8A01(TE85L)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.TPCF8A01(TE85L).pdf
    2.TPCF8A01(TE85L).pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    VS-8 (2.9x1.5)
  • Serie
    U-MOSIII
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    330mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    TPCF8A01(TE85L)TR
    TPCF8A01(TE85L,F)
    TPCF8A01(TE85L,F)-ND
    TPCF8A01FTR
    TPCF8A01FTR-ND
    TPCF8A01TE85L
    TPCF8A01TE85LF
    TPCF8A01TR
    TPCF8A01TR-ND
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 3A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

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Spedizione
Pagamento
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8

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Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

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Descrizione: CAP TANT 10UF 10V 20% 0805

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Descrizione: CAP TANT 10UF 10V 10% 0805

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