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Immagine TPH2900ENH,L1Q.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2900ENH,L1Q

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Specifiche

Modello di prodotti

TPH2900ENH,L1Q
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TPH2900ENH,L1Q.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs

29 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

78W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 200V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Ta)

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