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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TPH3R704PL,L1Q

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Immagine TPH3R704PL,L1Q.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH3R704PL,L1Q

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Specifiche

Modello di prodotti

TPH3R704PL,L1Q
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 92A TSON
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TPH3R704PL,L1Q.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.4V @ 0.2mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSIX-H
Rds On (max) a Id, Vgs

3.7 mOhm @ 46A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

960mW (Ta), 81W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

TPH3R704PL,L1Q(M
TPH3R704PLL1QTR
temperatura di esercizio

175°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 92A (Tc) 960mW (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

92A (Tc)

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