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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TPH4R10ANL,L1Q
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TPH4R10ANL,L1Q

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPH4R10ANL,L1Q
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TPH4R10ANL,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP Advance (5x5)
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4.1 mOhm @ 35A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.5W (Ta), 67W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    TPH4R10ANLL1Q
  • temperatura di esercizio
    150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6.3nF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 92A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 67W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    92A (Ta), 70A (Tc)

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