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TPH6R30ANL,L1Q

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPH6R30ANL,L1Q
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TPH6R30ANL,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 500µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP Advance (5x5)
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.5W (Ta), 54W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    TPH6R30ANLL1Q
  • temperatura di esercizio
    150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4300pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 66A (Ta), 45A (Tc) 2.5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    66A (Ta), 45A (Tc)

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