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6374361Immagine TPWR8503NL,L1Q.Toshiba Semiconductor and Storage

TPWR8503NL,L1Q

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPWR8503NL,L1Q
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TPWR8503NL,L1Q.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-DSOP Advance
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    0.85 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    800mW (Ta), 142W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    TPWR8503NLL1QCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6900pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 150A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    150A (Tc)

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