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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > TTA004B,Q
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3361668Immagine TTA004B,Q.Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TTA004B,Q
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 160V 1.5A TO126N
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TTA004B,Q.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    160V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-126N
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    10W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-225AA, TO-126-3
  • Altri nomi
    TTA004B,Q(S
    TTA004BQ
    TTA004BQ(S
    TTA004BQ(S-ND
    TTA004BQS
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 1.5A 100MHz 10W Through Hole TO-126N
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    140 @ 100mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1.5A

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