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5180038Immagine TPH3206LSB.Transphorm

TPH3206LSB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPH3206LSB
  • Costruttore / Marca
    Transphorm
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    TPH3206LSB.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.6V @ 500µA
  • Vgs (Max)
    ±18V
  • Tecnologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PQFN (8x8)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    180 mOhm @ 10A, 8V
  • Dissipazione di potenza (max)
    81W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    3-PowerDFN
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    720pF @ 480V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    8V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

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TPH3206LDB

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Produttori: Transphorm
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