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3535491Immagine 8EWF12STR.Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    8EWF12STR
  • Costruttore / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    8EWF12STR.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    8A
  • Tensione - Ripartizione
    D-PAK (TO-252AA)
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    VS-8EWF12STR
    VS-8EWF12STR-ND
    VS8EWF12STR
    VS8EWF12STR-ND
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    270ns
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    8EWF12STR
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Configurazione diodo
    100µA @ 1200V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.3V @ 8A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    1200V (1.2kV)
  • Capacità a Vr, F
    -40°C ~ 150°C

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

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