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3182596Immagine SIA421DJ-T1-GE3.Vishay Siliconix

SIA421DJ-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIA421DJ-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Vishay / Siliconix
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIA421DJ-T1-GE3.pdf
  • Tensione - Prova
    950pF @ 15V
  • Tensione - Ripartizione
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Vgs (th) (max) a Id
    35 mOhm @ 5.3A, 10V
  • Vgs (Max)
    4.5V, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Stato RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    12A (Tc)
  • Polarizzazione
    PowerPAK® SC-70-6
  • Altri nomi
    SIA421DJ-T1-GE3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    SIA421DJ-T1-GE3
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    29nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    P-Channel
  • Descrizione espansione
    P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30V
  • rapporto di capacità
    3.5W (Ta), 19W (Tc)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIA413ADJ-T1-GE3

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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