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6979674Immagine SQJ431EP-T1_GE3.Vishay Siliconix

SQJ431EP-T1_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQJ431EP-T1_GE3
  • Costruttore / Marca
    Vishay / Siliconix
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CHAN 200V SO8L
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SQJ431EP-T1_GE3.pdf
  • Tensione - Prova
    4355pF @ 25V
  • Tensione - Ripartizione
    PowerPAK® SO-8
  • Vgs (th) (max) a Id
    213 mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs (Max)
    6V, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Stato RoHS
    Digi-Reel®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    12A (Tc)
  • Polarizzazione
    PowerPAK® SO-8
  • Altri nomi
    SQJ431EP-T1_GE3DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    SQJ431EP-T1_GE3
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    160nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3.5V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    P-Channel
  • Descrizione espansione
    P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET P-CHAN 200V SO8L
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200V
  • rapporto di capacità
    83W (Tc)

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