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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SUM110N04-2M1P-E3
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1208109Immagine SUM110N04-2M1P-E3.Vishay Siliconix

SUM110N04-2M1P-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SUM110N04-2M1P-E3
  • Costruttore / Marca
    Vishay / Siliconix
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SUM110N04-2M1P-E3.pdf
  • Tensione - Prova
    18800pF @ 20V
  • Tensione - Ripartizione
    TO-263 (D2Pak)
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.1 mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (Max)
    4.5V, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    29A (Ta), 110A (Tc)
  • Polarizzazione
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    SUM110N04-2M1P-E3-ND
    SUM110N04-2M1P-E3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    SUM110N04-2M1P-E3
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    360nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 40V 29A (Ta), 110A (Tc) 3.13W (Ta), 312W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    40V
  • rapporto di capacità
    3.13W (Ta), 312W (Tc)

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