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5033328Immagine NXPSC04650Q.WeEn Semiconductors Co., Ltd

NXPSC04650Q

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NXPSC04650Q
  • Costruttore / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    NXPSC04650Q.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 4A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    650V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AC
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-2
  • Altri nomi
    1740-1225
    934068072127
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    175°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A Through Hole TO-220AC
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    170µA @ 650V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    4A
  • Capacità a Vr, F
    130pF @ 1V, 1MHz

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