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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > PHE13003A,126
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PHE13003A,126

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PHE13003A,126
  • Costruttore / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 400V 1A SOT54
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PHE13003A,126.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    400V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 250mA, 750mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    2.1W
  • imballaggio
    Tape & Box (TB)
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Altri nomi
    934063927126
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 2.1W Through Hole TO-92-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    10 @ 400mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A

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