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W632GG6AB-15

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W632GG6AB-15
  • Costruttore / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3
  • Serie
    -
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    2Gb (128M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 667MHz 20ns
  • Frequenza dell'orologio
    667MHz
  • Tempo di accesso
    20ns

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Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
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W631GU8MB15I

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Descrizione: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
RFQ
W631GU8MB11I

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Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
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W631GU8MB-15 TR

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Descrizione: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W631GU8MB11I TR

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Descrizione: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W632GG6KB-11 TR

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
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Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W632GG6KB-09

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Produttori: Winbond Electronics Corporation
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Produttori: Winbond Electronics Corporation
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